Transistor a canale N BSM30GP60, altro, altro, 600V. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente del collettore: 30A. Dimensioni: 107.5x45x17mm. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Spec info: 7x IGBT. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 250 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Eupec/infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31