Transistor a canale N BS107ARL1G, TO-92, 200V, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, 200V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. ID (T=25°C): 250mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 6.4 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. C(in): 60pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 30pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 250mA. Id(imp): 500mA. Marcatura del produttore: BS107A. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31