Transistor a canale N BF545B, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor a canale N BF545B, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.51€
5-49
0.39€
50-99
0.35€
100+
0.32€
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Transistor a canale N BF545B, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Funzione: HF-VHF. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Temperatura: +150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BF545B
26 parametri
ID (T=25°C)
25mA
Idss (massimo)
15mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1.7pF
Costo)
0.8pF
Funzione
HF-VHF
ID (min)
6mA
IGF
10mA
Marcatura sulla cassa
21*
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
6mA
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio
Temperatura
+150°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
3.8V
Tensione gate/source (spenta) min.
1.6V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
JFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Fairchild