Transistor a canale N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v

Transistor a canale N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.70€
5-49
1.60€
50-99
1.54€
100-199
1.39€
200+
1.29€
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Transistor a canale N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v. Alloggiamento: TO-92. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. DRUCE CORRENTE: 25uA. Funzione: HF-VHF. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Polarità: unipolari. Potenza: 300mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura: +150°C. Tensione drain-source: 30V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:30

Documentazione tecnica (PDF)
BF245C
29 parametri
Alloggiamento
TO-92
ID (T=25°C)
25mA
Idss (massimo)
25mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
4pF
Costo)
1.6pF
DRUCE CORRENTE
25uA
Funzione
HF-VHF
ID (min)
12mA
IGF
10mA
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300mW
Polarità
unipolari
Potenza
300mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Temperatura
+150°C
Tensione drain-source
30V
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
7.5V
Tensione gate/source (spenta) min.
3.2V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
JFET
Voltaggio gate/source Vgs
8V
Prodotto originale del produttore
Fairchild

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