Transistor a canale N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Diodo Trr (min.): 600 ns. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. ID (min): 25uA. Id(imp): 48A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:35