Transistor a canale N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

Transistor a canale N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

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Transistor a canale N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220CFM. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1700pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 37 ns. ID (min): 10uA. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. Protezione GS: NO. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:35

Documentazione tecnica (PDF)
AP9971GI
30 parametri
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
23A
Idss (massimo)
25uA
Rds sulla resistenza attiva
0.036 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220CFM
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1700pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
160pF
Diodo Trr (min.)
37 ns
ID (min)
10uA
Id(imp)
80A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
31.3W
Protezione GS
NO
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
9 ns
Td(spento)
26 ns
Tecnologia
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Advanced Power