Transistor a canale N AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Ids: 10uA. Idss (massimo): 10.4A. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 450pF. Costo): 120pF. Diodo Trr (min.): 20 ns. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: 4800C G M. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 17 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25