Transistor a canale N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V

Transistor a canale N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.96€
5-24
1.70€
25-49
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50-99
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100+
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Transistor a canale N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 400V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 273pF. Costo): 16pF. Diodo Trr (min.): 172ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 18 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

AOD5T40P
26 parametri
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
3.9A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
1.2 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaggio Vds(max)
400V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
273pF
Costo)
16pF
Diodo Trr (min.)
172ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
15A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
52W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
18 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v