Transistor a canale N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor a canale N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.96€
5-49
0.76€
50-99
0.64€
100+
0.56€
Quantità in magazzino: 2298

Transistor a canale N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 951pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 373pF. Diodo Trr (min.): 10.2 ns. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. ID (min): 1uA. Id(imp): 96A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: RDS molto basso (attivato) a 10 VGS. Td(acceso): 6.25 ns. Td(spento): 18.5 ns. Tecnologia: "La più recente tecnologia Trench Power MOSFET". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2500. Vgs(esimo) min.: 1.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AOD518
32 parametri
ID (T=100°C)
42A
ID (T=25°C)
54A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
6m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
951pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
373pF
Diodo Trr (min.)
10.2 ns
Funzione
Convertitore di tensione CC/CC
ID (min)
1uA
Id(imp)
96A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
RDS molto basso (attivato) a 10 VGS
Td(acceso)
6.25 ns
Td(spento)
18.5 ns
Tecnologia
"La più recente tecnologia Trench Power MOSFET"
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
2500
Vgs(esimo) min.
1.8V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors