Transistor a canale N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.92€
5-49
0.73€
50-99
0.65€
100+
0.57€
Quantità in magazzino: 73

Transistor a canale N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 47m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 450pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 61pF. Diodo Trr (min.): 27.6 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 4.2 ns. Td(spento): 16 ns. Tecnologia: "La più recente tecnologia Trench Power MOSFET". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2500. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AOD444
30 parametri
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
12A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
47m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
450pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
61pF
Diodo Trr (min.)
27.6 ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
30A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
20W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
4.2 ns
Td(spento)
16 ns
Tecnologia
"La più recente tecnologia Trench Power MOSFET"
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
2500
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors