Transistor a canale N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor a canale N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.95€
5-49
0.79€
50-99
0.70€
100-199
0.63€
200+
0.52€
Quantità in magazzino: 882

Transistor a canale N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Ids: 0.1mA. Idss (massimo): 20mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0039 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 3760pF. Costo): 682pF. Diodo Trr (min.): 18 ns. ID (min): 0.1mA. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 9.5 ns. Td(spento): 34 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AO4714
28 parametri
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
20A
Ids
0.1mA
Idss (massimo)
20mA
Rds sulla resistenza attiva
0.0039 Ohms
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
3760pF
Costo)
682pF
Diodo Trr (min.)
18 ns
ID (min)
0.1mA
Id(imp)
100A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
3W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
9.5 ns
Td(spento)
34 ns
Tecnologia
"Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)"
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors