Transistor a canale N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor a canale N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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Transistor a canale N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 5.7A. Rds sulla resistenza attiva: 22M Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 630pF. Carica: 6nC. Costo): 75pF. DRUCE CORRENTE: 4.7A. Diodo Trr (min.): 16.8 ns. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. ID (min): 1uA. Id(imp): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Polarità: unipolari. Potenza: 1.4W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 3.2 ns. Td(spento): 21.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Tensione di gate-source: ±12V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52

Documentazione tecnica (PDF)
AO3400A
35 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=100°C)
4.7A
ID (T=25°C)
5.7A
Ids
1uA
Idss (massimo)
5.7A
Rds sulla resistenza attiva
22M Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
migliorato
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
630pF
Carica
6nC
Costo)
75pF
DRUCE CORRENTE
4.7A
Diodo Trr (min.)
16.8 ns
Funzione
Applicazioni di commutazione o PWM
ID (min)
1uA
Id(imp)
25A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1uA
Polarità
unipolari
Potenza
1.4W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
3.2 ns
Td(spento)
21.5 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Tensione di gate-source
±12V
Tensione drain-source
30V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
12V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors