Transistor a canale N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v
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Transistor a canale N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 5.7A. Rds sulla resistenza attiva: 22M Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 630pF. Carica: 6nC. Costo): 75pF. DRUCE CORRENTE: 4.7A. Diodo Trr (min.): 16.8 ns. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. ID (min): 1uA. Id(imp): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Polarità: unipolari. Potenza: 1.4W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 3.2 ns. Td(spento): 21.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Tensione di gate-source: ±12V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52