Transistor a canale N ALF08N20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

Transistor a canale N ALF08N20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
35.54€
5-9
33.85€
10-24
32.55€
25+
31.60€
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito
Equivalenza disponibile

Transistor a canale N ALF08N20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08P20V. Td(acceso): 100 ns. Td(spento): 50 ns. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Prodotto originale del produttore: Semelab. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:20

Documentazione tecnica (PDF)
ALF08N20V
24 parametri
ID (T=25°C)
8A
Idss (massimo)
10mA
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
500pF
Costo)
300pF
Funzione
AUDIO POWER MOSFET
ID (min)
10mA
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
125W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) ALF08P20V
Td(acceso)
100 ns
Td(spento)
50 ns
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
14V
Prodotto originale del produttore
Semelab

Prodotti e/o accessori equivalenti per ALF08N20V