Transistor a canale N 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Transistor a canale N 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.33€
5-24
3.04€
25-49
2.74€
50+
2.49€
Quantità in magazzino: 51

Transistor a canale N 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2900pF. Costo): 450pF. Diodo Trr (min.): 33 ns. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta corrente. ID (min): 1uA. Id(imp): 180A. Marcatura sulla cassa: K4075. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 54 ns. Tecnologia: MOSFET DI POTENZA, transistor ad effetto di campo. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nec. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
2SK4075
29 parametri
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
60A
Idss (massimo)
1uA
Rds sulla resistenza attiva
5.2m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
40V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2900pF
Costo)
450pF
Diodo Trr (min.)
33 ns
Funzione
Applicazioni di commutazione ad alta corrente
ID (min)
1uA
Id(imp)
180A
Marcatura sulla cassa
K4075
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
52W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
54 ns
Tecnologia
MOSFET DI POTENZA, transistor ad effetto di campo
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Nec