Transistor a canale N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1400pF. Costo): 130pF. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 18A. Marcatura sulla cassa: K4013 Q. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 80 ns. Td(spento): 220 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25