Transistor a canale N 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V

Transistor a canale N 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.38€
5-24
6.69€
25-49
6.38€
50-99
5.85€
100+
5.34€
Quantità in magazzino: 2

Transistor a canale N 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 96pF. Costo): 29pF. ID (min): 1uA. Id(imp): 2.8A. Marcatura sulla cassa: K3850. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 16 ns. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3850TP-FA
27 parametri
ID (T=25°C)
0.7A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
14 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
96pF
Costo)
29pF
ID (min)
1uA
Id(imp)
2.8A
Marcatura sulla cassa
K3850
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
15W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
9 ns
Td(spento)
16 ns
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.5V
Vgs(esimo) min.
2.5V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Sanyo