Transistor a canale N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor a canale N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.04€
5-24
1.53€
25-49
1.34€
50+
1.24€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 89

Transistor a canale N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 14A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3567
23 parametri
ID (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
3.5A
Ids
100mA
Idss (massimo)
3.5A
Rds sulla resistenza attiva
1.7 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
14A
Marcatura sulla cassa
K3567
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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