Transistor a canale N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor a canale N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.21€
5-24
1.91€
25-49
1.72€
50-99
1.59€
100+
1.41€
Quantità in magazzino: 45

Transistor a canale N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 470pF. Costo): 50pF. Diodo Trr (min.): 720 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 7.5A. Marcatura sulla cassa: K3566. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3566
30 parametri
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
5.6 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
470pF
Costo)
50pF
Diodo Trr (min.)
720 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
7.5A
Marcatura sulla cassa
K3566
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
60 ns
Td(spento)
100 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba