Transistor a canale N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor a canale N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.66€
5-24
2.31€
25-49
2.09€
50+
1.89€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 35

Transistor a canale N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 32A. Marcatura sulla cassa: K3561. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 26 ns. Td(spento): 38 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3561
30 parametri
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
8A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.75 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1050pF
Costo)
110pF
Diodo Trr (min.)
1200 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
32A
Marcatura sulla cassa
K3561
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
26 ns
Td(spento)
38 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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