Transistor a canale N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V

Transistor a canale N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.28€
5-9
3.79€
10-24
3.22€
25+
2.93€
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Transistor a canale N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 700V. C(in): 1850pF. Costo): 400pF. Diodo Trr (min.): 2.5us. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. ID (min): na. Id(imp): 48A. Potenza: 175W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 140 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET a canale N. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Hitachi. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2828
25 parametri
ID (T=25°C)
12A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.9 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P
Voltaggio Vds(max)
700V
C(in)
1850pF
Costo)
400pF
Diodo Trr (min.)
2.5us
Funzione
Commutazione di potenza ad alta velocità
ID (min)
na
Id(imp)
48A
Potenza
175W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
140 ns
Tecnologia
Transistor MOSFET a canale N
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tensione gate/source (spenta) min.
2V
Tf(min)
TO-3P ( TO3P )
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Hitachi