Transistor a canale N 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.19 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 450pF. Costo): 75pF. Diodo Trr (min.): 450 ns. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 10uA. Id(imp): 16A. Marcatura sulla cassa: K2647. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31