Transistor a canale N 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 150pF. Costo): 70pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: Transistor ad effetto di campo. Id(imp): 6A. Marcatura sulla cassa: ZA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Protezione GS: soppressore. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31