Transistor a canale N 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 690pF. Costo): 120pF. Diodo Trr (min.): 1450 ns. Funzione: Alta velocità. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 70 ns. Td(spento): 210 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03