Transistor a canale N 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 2.8 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3BP. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 700pF. Costo): 300pF. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): -. Id(imp): 10A. Marcatura sulla cassa: K1461. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 200 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03