Transistor a canale N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Transistor a canale N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-2
19.55€
3-4
18.62€
5-9
16.41€
10+
15.21€
Quantità in magazzino: 9

Transistor a canale N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN 13-16A1A. Voltaggio Vds(max): 1400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1800pF. Costo): 500pF. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: commutazione ad alta tensione. ID (min): -. Id(imp): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 220 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nec. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03

2SK1271
26 parametri
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
4 Ohms
Alloggiamento
TO-3PN 13-16A1A
Voltaggio Vds(max)
1400V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1800pF
Costo)
500pF
Diodo Trr (min.)
1400 ns
Diodo al germanio
no
Funzione
commutazione ad alta tensione
Id(imp)
10A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
240W
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
220 ns
Tecnologia
transistor MOSFET
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
3.5V
Tensione gate/source (spenta) min.
1.5V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Nec