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STPS30H100CT

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STPS30H100CT. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. RM (max): 6mA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Tensione diretta Vf (min): 0.64V. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...
BYV42E-150
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Funzione: Diodi raddrizzatori, ultraveloci, robusti. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
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Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Funzione: Diodi raddrizzatori, ultraveloci, robusti. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
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