RL4Z

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RL4Z. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Passo: 8x6.5mm. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Nota: Diodo raddrizzatore a recupero ultrarapido. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.