Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RG2Y

RG2Y
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1 - 4 0.83€ 1.01€
5 - 9 0.79€ 0.96€
10 - 24 0.75€ 0.92€
25 - 34 0.70€ 0.85€
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RG2Y. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: SAMSUNG. RM (max): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Peso: 0.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. VRRM: 70V. Spec info: IFMS 50Ap. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.

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UF5404

UF5404

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
UF5404
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A
UF5404
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A
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RGP15G

RGP15G

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assembla...
RGP15G
Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 400V
RGP15G
Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 400V
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