K6R1008C1D-TC10

K6R1008C1D-TC10. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSOP2-32. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: K6R. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 10 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Prodotto originale del produttore Samsung. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 18:25.