Circuiti di memoria RAM

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP24. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 24. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Dimensione memoria [byte]: 2 KByte. Configurazione memoria: 2K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 100 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: U62. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: A62. Dimensione memoria [byte]: 8 KByte. Configurazione memoria: 8K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C

Serie: n/a. Tipo di memoria: SRAM - Asynchronous. Interfaccia: Parallela. Frequenza dell orologio: n/a. Scrivi il tempo di ciclo: n/a. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP32. Informazioni: n/a. MSL: n/a

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

Serie: AS6C4008. Tipo di memoria: SRAM - Asynchronous. Interfaccia: Parallela. Frequenza dell orologio: n/a. Tempo di accesso: 55ns. Scrivi il tempo di ciclo: 55ns. Temperatura di funzionamento: 0...+70°C. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP32. Informazioni: n/a. MSL: n/a

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO28W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 28. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 32 KByte. Configurazione memoria: 32K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 32 KByte. Configurazione memoria: 32K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: BS62LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.4V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP24. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 24. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: DS12. Dimensione memoria [byte]: 2 KByte. Configurazione memoria: 2K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 100 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSOP2-F32. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: K6T. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP24. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 24. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: M48T. Dimensione memoria [byte]: 2 KByte. Configurazione memoria: 2K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.75V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: M48Z. Dimensione memoria [byte]: 8 KByte. Configurazione memoria: 8K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 100 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.75V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: R1LP. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: R1LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Famiglia di circuiti di memoria: R1LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di interfaccia: Parallela. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C