Circuiti di memoria RAM

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Famiglia di circuiti di memoria: 23LC. Dimensione memoria [byte]: 1Mbit. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: SPI. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 20 MHz. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus seriale. Tensione minima di alimentazione (V): +2.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP24. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 24. Dimensione memoria [byte]: 2 KByte. Configurazione memoria: 2K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 100 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: U62. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO28W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: U62. Dimensione memoria [byte]: 8 KByte. Configurazione memoria: 8K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO28W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: U62H. Dimensione memoria [byte]: 32 KByte. Configurazione memoria: 32K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: A62. Dimensione memoria [byte]: 8 KByte. Configurazione memoria: 8K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO28W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 32 KByte. Configurazione memoria: 32K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: AS6C. Dimensione memoria [byte]: 32 KByte. Configurazione memoria: 32K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSOP28. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: BS62LV. Dimensione memoria [byte]: 32 KByte. Configurazione memoria: 32K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.4V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: BS62LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.4V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP24. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 24. Famiglia di circuiti di memoria: DS12. Dimensione memoria [byte]: 2 KByte. Configurazione memoria: 2K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 100 ns. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: DS12. Dimensione memoria [byte]: 8 KByte. Configurazione memoria: 8K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 150 ns. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSOP2-44. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 44. Famiglia di circuiti di memoria: IS61LV. Dimensione memoria [byte]: 256 KByte. Configurazione memoria: 128K x 16-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 10 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +3V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSOP2-32. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: K6R. Dimensione memoria [byte]: 128 KByte. Configurazione memoria: 128K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 10 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSOP2-F32. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: K6T. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP24. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 24. Famiglia di circuiti di memoria: M48T. Dimensione memoria [byte]: 2 KByte. Configurazione memoria: 2K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 70 ns. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.75V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP28. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 28. Famiglia di circuiti di memoria: M48Z. Dimensione memoria [byte]: 8 KByte. Configurazione memoria: 8K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 100 ns. Tipo di memoria: SRAM tamponata a batteria, accesso parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.75V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Custodia (standard JEDEC): montaggio a foro passante su PCB

RoHS: sì. Famiglia di componenti: circuito integrato di interfaccia. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO16. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 16. Numero di circuiti di controllo: 0. Numero di circuiti riceventi: 4. Tipo di comunicazione: Duplex. Disattivabile: sì. Velocità di comunicazione [bit]: 10Mbit. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Tipo di circuiti: interfaccia seriale, ricevitore differenziale. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V. Numero di circuiti ricevitori sulla linea, max: 128

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: R1LP. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: R1LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: R1LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V