IRFD9110PBF

IRFD9110PBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD9110PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Custodia (standard JEDEC): 1.2 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 20:25.