IRFD9110

IRFD9110. C(in): 200pF. Costo): 94pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 82 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET POWWER MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 20:25.