IRFB9N65A

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	3.85€	4.70€
5 - 9	3.65€	4.45€
10 - 24	3.46€	4.22€
25 - 36	3.27€	3.99€

Qnéuantità	U.P
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IRFB9N65A. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 8.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 650V. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.

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