IRFB7444PBF

IRFB7444PBF. C(in): 4730pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 143W. Rds sulla resistenza attiva: 2M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 115 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.2V. Funzione: Applicazioni di azionamento di motori BLDC, circuiti alimentati a batteria, convertitori DC/DC e AC/DC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.