IRFB5615PBF

IRFB5615PBF. C(in): 1750pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: per applicazioni di amplificatori audio in classe D. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRFB5615PbF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 144W. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 17.2ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.