IRFB52N15D

IRFB52N15D. C(in): 2770pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB52N15D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza, Display al Plasma. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.