IRFB42N20D

IRFB42N20D. C(in): 3430pF. Costo): 530pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB42N20D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.