IRFB4115

IRFB4115. Costo): 490pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 86 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Peso: 1.99g. C(in): 5270pF. Id(imp): 420A. Rds sulla resistenza attiva: 0.0093 Ohms. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.