IRFB3307Z

IRFB3307Z. C(in): 4750pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 512A. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.