IRF7832PBF

IRF7832PBF. C(in): 4310pF. Costo): 990pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 41us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.031 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.32V. Vgs(esimo) min.: 1.39V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 15:25.