IRF7807V

IRF7807V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 6.3 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 15:25.