IRF7413Z

IRF7413Z. C(in): 1210pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Impedenza di gate ultrabassa. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 8.7 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 95. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 15:25.