IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7309. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 21:25.