IRF7233

IRF7233. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7233. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 77 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 21:25.