Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.84€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.80€ | 0.98€ |
25 - 49 | 0.51€ | 0.62€ |
50 - 99 | 0.49€ | 0.60€ |
100 - 143 | 0.48€ | 0.59€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.84€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.80€ | 0.98€ |
25 - 49 | 0.51€ | 0.62€ |
50 - 99 | 0.49€ | 0.60€ |
100 - 143 | 0.48€ | 0.59€ |
IRF7103PBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7103. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 21:25.
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