IRF510PBF

IRF510PBF. Marcatura del produttore: IRF510PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 5.6A. Potenza: 43W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione drain-source (Vds): 100V. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.