IRF3711ZS

IRF3711ZS. C(in): 2150pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Buck sincrono ad alta frequenza. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0048 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.45V. Vgs(esimo) min.: 1.55V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.