IRF3711S

IRF3711S. C(in): 2980pF. Costo): 1770pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 48 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: DC-DC isolato ad alta frequenza. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 4.7M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.