IRF3711

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IRF3711. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 110A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.047 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 20V. Funzione: td(on) 12ns, td(off) 17ns. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.

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