IRF2907Z

IRF2907Z. C(in): 7500pF. Costo): 970pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 41 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF2907Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.